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BAT165A-Q

Marking：2G；Package：SOD323；40 V, 0.75 A medium power Schottky barrier rectifier

1.Generaldescription MediumpowerSchottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotection, encapsulatedinaverysmallSOD323(SC-76)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?Forwardcurrent:IF≤0.75A ?Reversevoltage:VR≤40V

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

BC850C

Marking：2G；Package：SOT23；NPN general purpose transistors

FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification. DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT23plasticpackage.PNPcomplements:BC859andBC860.

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

BC850CW

Marking：2G；Package：SOT323；NPN general purpose transistors

FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.45V).

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

BC850S-B

Marking：2G；Package：SOT-23；General Purpose Transistors

GeneralPurposeTransistors NPNSilicon ?MoistureSensitivityLevel:1 ?ESDRating–HumanBodyModel:>4000V –MachineModel:>400V

FS

First Silicon Co., Ltd

BZX884S-B4V3

Marking：2G；Package：DFN1006BD-2；Voltage regulator diodes

1.Generaldescription General-purposeZenerdiodesinanultrasmallSOD882BD(DFN1006BD-2)leadlessSurface MountedDevice(SMD)plasticpackagewithside-wettableflanks. 2.Featuresandbenefits ?Leadlessultrasmallplasticpackagewithside-wettableflankssuitableforsurface-mounted

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

BZX884S-B4V3-Q

Marking：2G；Package：DFN1006BD-2；Voltage regulator diodes

1.Generaldescription General-purposeZenerdiodesinanultrasmallSOD882BD(DFN1006BD-2)leadlessSurface MountedDevice(SMD)plasticpackagewithside-wettableflanks. 2.Featuresandbenefits ?Leadlessultrasmallplasticpackagewithside-wettableflankssuitableforsurface-mounted

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

FMMTA56

Marking：2G；Package：SOT-23；PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS

FEATURES *Gainof50atIC=100mA

Zetex

Zetex Semiconductors

FMMTA56

Marking：2G；Package：SOT-23；SOT23 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS

FEATURES *Gainof50atIC=100mA

Zetex

Zetex Semiconductors

KST56

Marking：2G；Package：SOT-23；Driver Transistor

DriverTransistor ?Collector-EmitterVoltage:VCEO=KST55:-60VKST56:-80V ?CollectorPowerDissipation:PC(max)=350mW ?ComplementtoKST05/06

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

PBSS4230PAN

Marking：2G；Package：DFN2020-6；30 V, 2 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor

1.Generaldescription NPN/NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadless mediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPN/PNPcomplement:PBSS4230PANP.PNP/PNPcomplement:PBSS5230PAP. 2.Featuresandbenefits ?Verylowcollec

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    2G072A

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

  • 性質(zhì)：

    微波 （MW）_射頻/高頻放大 （HF）_功率放大 （PA）

  • 封裝形式：

    特殊封裝

  • 極限工作電壓：

    110V

  • 最大電流允許值：

    0.5A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

  • 最大耗散功率：

    5W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    F-29

  • vtest：

    110

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.5

  • wtest：

    5

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    2G

  • 制造商：

    Thomas & Betts

  • 功能描述：

    GANG STEEL BOX, 1/2 & 3/4 KOS

  • 功能描述：

    GANG STEEL BOX, 1/2 & 3/4 KO'S

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
2022+
93
全新原裝 貨期兩周
 詢價(jià)
UNIOHM/厚聲
24+
0402
175
大批量供應(yīng)優(yōu)勢(shì)庫(kù)存熱賣(mài)
 詢價(jià)
0805
63200
詢價(jià)
YAGEO
2022+
7600
原廠原裝,假一罰十
 詢價(jià)
YAGEO
21+
8080
只做原裝,質(zhì)量保證
 詢價(jià)
YAGEO
21+
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
 詢價(jià)
YAGEO
19+
2270
只做原裝正品,賣(mài)元器件不賺錢(qián)交個(gè)朋友
 詢價(jià)
YAGEO
21+
10000
原裝公司現(xiàn)貨
 詢價(jià)
YAGEO
19+
2270
詢價(jià)
MPS/美國(guó)芯源
22+
QFN
25000
只做原裝,原裝,假一罰十
 詢價(jià)
更多2G供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-4 9:50:00

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