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2SA1213

New Jersey Semi-Conductor Products,

NewJerseySemi-ConductorProducts

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

2SA1213

TRANSISTOR (PNP)

TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.5W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-2A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-50V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司

2SA1213

SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Complementaryto2SC2873 ●SmallFlatPackage ●PowerAmplifierandSwitchingApplications ●LowSaturationVoltage ●HighSpeedSwitchingTime

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

2SA1213

Silicon PNP transistor in a SOT-89 Plastic Package

Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-89PlasticPackage. Features Lowcollectorsaturationvoltage,Highspeedswitchingtime,smallflatpackage,Complementaryto2SC2873. Applications Poweramplifierandswitchingapplications.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司

2SA1213

Power Amplifier Applications

PowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=?0.5V(max)(IC=?1A) ?Highspeedswitchingtime:tstg=1.0μs(typ.) ?Smallflatpackage ?PC=1.0to2.0W(mountedonaceramicsubstrate) ?Complementaryto2SC2873

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SA1213

Marking：NO；Package：SOT-89；Silicon Planar Epitaxial Transistor

FEATURES ●Lowsaturationvoltage ●Highspeedswitchingtime ●Smallflatpackage ●PC=1.0to2.0W(mountedonceramicsubstrate) ●Complementaryto2SC2873

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司

2SA1213

SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Complementaryto2SC2873 ●SmallFlatPackage ●PowerAmplifierandSwitchingApplications ●LowSaturationVoltage ●HighSpeedSwitchingTime

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司

2SA1213

Marking：NY；Package：SOT-89；TRANSISTOR竊?NP 竊

FEATURES Powerdissipation PCM:0.5W（Tamb=25℃） Collectorcurrent ICM:-2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-50V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ，Tstg:-55℃to+150℃

KOOCHIN

SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.

2SA1213

PNP Transistors

Features ●LowSaturationVoltage:VCE(sat)=-0.5V(max)(IC=-1A) ●HighSpeedSwitchingTime:tstg=1.0us(typ.) ●SmallFlatPackage ●PC=1to2W(mountedonceramicsubstrate) ●Complementaryto2SC2873

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司

2SA1213

PNP Silicon Medium Power Transistor

*Features Lowpowerdissipation0.5W CollectorCurrent-2A *Stucture Epitaxialplanartype. PNPsilicontransistor.

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    2SA1200

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質(zhì)：

    表面帖裝型 （SMD）_通用型 （Uni）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    150V

  • 最大電流允許值：

    0.05A

  • 最大工作頻率：

    120MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    2SB807,2SB1046,2SB1047,3CG170C,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    H-100

  • vtest：

    150

  • htest：

    120000000

  • atest：

    0.05

  • wtest：

    0

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    2SA12

  • 制造商：

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述：

    TRANS GP BJT PNP - Tape and Reel

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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