2SC5226A-5-TL-E 分立半導體產品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 ONSEMI/安森美半導體

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廠家型號：
2SC5226A-5-TL-E
產品分類：
芯片
生產廠商：
onsemi/安森美
庫存數量：
4161
產品封裝：
NA
生產批號：
兩年內
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2025-2-19 8:00:00

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原廠料號：2SC5226A-5-TL-E品牌：onsemi/安森美

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2SC5226A-5-TL-E是分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商onsemi/安森美/onsemi生產封裝NA/SC-70，SOT-323的2SC5226A-5-TL-E晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件，用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP，特征參數包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

芯片型號：
2SC5226A-5-TL-E
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
ONSEMI【安森美半導體】詳情
廠商全稱：
ON Semiconductor
中文名稱：
安森美半導體公司
內容頁數：
8 頁
文件大?。?/span>
354.42 kb
資料說明：
RF Transistor 10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single MCP

產品屬性

類型
描述
產品編號：
2SC5226A-5-TL-E
制造商：
onsemi
類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
晶體管類型：
NPN
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
10V
頻率 - 躍遷：
7GHz
噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）：
1dB @ 1GHz
增益：
12dB
功率 - 最大值：
150mW
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
135 @ 20mA，5V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
70mA
工作溫度：
150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
SC-70，SOT-323
供應商器件封裝：
3-MCP
描述：
RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3MCP

供應商

企業(yè)：
深圳良洲科技有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
楊夢琪
手機：
19128244554
詢價：
電話：
0755-21010605
地址：
深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)華強北路1005、1007、1015號華強電子世界2號樓2層22C081

2SC5226A-5-TL-E 分立半導體產品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 ONSEMI/安森美半導體

2SC5226A-5-TL-E

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