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2SD2114K

High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A)

Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA)

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SD2114K

Power Transistor

Features HighDCcurrentgain. Highemitter-basevoltage. LowVCE(sat).

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

2SD2114K

High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A)

Features 1)HighDCcurrentgain.hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage.VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat).VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA) Structure Epitaxialplanartype NPNsilicontransistor

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SD2114K

High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A)

Features 1)HighDCcurrentgain.hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage.VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat).VCE(sat)=0.18V(Typ.)(IC/IB=500mA/20mA)

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SD2114K

High-current Gain Medium Power Transistor

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SD2114K

High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A)

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SD2114KS

High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A)

Features 1)HighDCcurrentgain.hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage.VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat).VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA) Structure Epitaxialplanartype NPNsilicontransistor

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SD2114KT146V

High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A)

Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.)(IC/IB=500mA/20mA)

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SD2114KT146W

High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A)

Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.)(IC/IB=500mA/20mA)

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SD2114KU

High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A)

Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA)

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    2SD2114K

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    表面帖裝型 （SMD）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    25V

  • 最大電流允許值：

    0.5A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    2SC3326,2SC3440,2SC3661,2SD596,2SD1328,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

    β>560

  • 圖片代號(hào)：

    H-15

  • vtest：

    25

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.5

  • wtest：

    0

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    2SD2114K

  • 制造商：

    ROHM

  • 制造商全稱：

    Rohm

  • 功能描述：

    High-current Gain MediumPower Transistor(20V, 0.5A)

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
ROHM/羅姆
20+
SOT-23
120000
原裝正品 可含稅交易
 詢價(jià)
ROHM/羅姆
23+
SOT-23
100586
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)!
 詢價(jià)
ROHM
2024
SOT23
13500
16余年資質(zhì) 絕對(duì)原盒原盤代理渠道 更多數(shù)量
 詢價(jià)
ROHM
08PB
SOT23/
6790
全新原裝進(jìn)口自己庫存優(yōu)勢
 詢價(jià)
ROHM
24+
SOT-23
156200
新進(jìn)庫存/原裝
 詢價(jià)
ROHM
23+
SOT-23
31000
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
羅姆
24+
SOT23
3000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價(jià)
ROHM
2016+
SOT-23
4750
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
 詢價(jià)
ROHM
23+
SOT23
3200
絕對(duì)全新原裝!優(yōu)勢供貨渠道!特價(jià)!請放心訂購!
 詢價(jià)
ROHM
1742+
SOT23-3
98215
只要網(wǎng)上有絕對(duì)有貨!只做原裝正品!
 詢價(jià)
更多2SD2114K供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-30 14:00:00

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