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2SD214

isc Silicon NPN Power Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SD2140

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=140V(Min) ?WideAreaofSafeOperation ?ComplementtoType2SB1421 APPLICATIONS ?Designedforhighpoweramplifications. ?OptimumfortheoutputstageofaHiFiaudioamplifier

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SD2141

Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Ignitor, Driver for Solenoid and Motor, and General Purpose)

Built-inAvalancheDiodeforSurgeAbsorbingDarlington SiliconNPNTripleDiffusedPlanarTransistor Application:Ignitor,DriverforSolenoidandMotor,andGeneralPurpose

SankenSanken electric

三墾三墾電氣株式會社

2SD2141

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ?HighDCCurrentGain-:hFE=1500(Min)@IC=3A ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=4A ?Incorporatingabuilt-inzenerdiode ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS ?Designedforus

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SD2142

TRANSISOR (NPN)

FEATURES ●DarlingtonConnectionforaHighhFE ●HighInputImpedance

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金譽半導體深圳市金譽半導體股份有限公司

2SD2142

Marking：R1M；Package：SOT-23；SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES DarlingtonConnectionforaHighhFE HighInputImpedance

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

2SD2142

Silicon Epitaxial Planar Transistor

FEATURES ●DarlingtonconnectionforahighHfe ●Highinputimpedance APPLICATIONS ●Generalpurposeamplifiers.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司

2SD2142

Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●DarlingtonConnectionforaHighhFE ●HighInputImpedance

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

2SD2142

NPN Plastic Plastic-Encapsulate Transistor

FEATURE ?DarlingtonconnectionforahighhFE. ?Highinputimpedance.

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

2SD2142K

Marking：5K*；Package：SMT3；High-gain Amplifier Transistor (30V, 0.3A)

Features 1)DarlingtonconnectionforahighhFE. (DCcurrentgain=5000(Min.)atVCE=3V,IC=10mA) 2)Highinputimpedance. Application Highgainamplifier

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

晶體管資料

  • 型號：

    2SD214

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    130V

  • 最大電流允許值：

    10A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    2

  • 可代換的型號：

    BDX11,BDY19,BDY74,2N3442,2N3773,2SD551,2SD732,2SD733,3DK208C,

  • 最大耗散功率：

    100W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    E-44

  • vtest：

    130

  • htest：

    999900

  • atest：

    10

  • wtest：

    100

詳細參數(shù)

  • 型號：

    2SD214

  • 制造商：

    Distributed By MCM

  • 功能描述：

    SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 130V 10A 100W BEC

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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