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3DD11E中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

3DD11E
廠商型號(hào)

3DD11E

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor

文件大小

252.86 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-27 16:39:00

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晶體管資料

  • 型號(hào):

    3DD11E

  • 別名:

    3DD11E三極管、3DD11E晶體管、3DD11E晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    150V

  • 最大電流允許值:

    30A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號(hào):

  • 最大耗散功率:

    300W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    E-63

  • vtest:

    150

  • htest:

    999900

  • atest:

    30

  • wtest:

    300

3DD11E規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

·DC Current Gain

: hFE=15~180@IC = 15A

·Collector-Emitter Sustaining Voltage

: VCEO(SUS)=250V(Min)

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

APPLICATIONS

·Designed for use in general purpose power amplifier and

switching applications.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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