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3DD11D

iscSiliconNPNPowerTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

3DD11E

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·DCCurrentGain :hFE=15~180@IC=15A ·Collector-EmitterSustainingVoltage :VCEO(SUS)=250V(Min) ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforuseingeneralpurposepoweramplifierand switchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

晶體管資料

  • 型號：

    3DD11F-T

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    300V

  • 最大電流允許值：

    30A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數：

    2

  • 可代換的型號：

  • 最大耗散功率：

    300W

  • 放大倍數：

  • 圖片代號：

    E-63

  • vtest：

    300

  • htest：

    999900

  • atest：

    30

  • wtest：

    300

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
24+
3
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TO-126
30000
代理全新原裝現貨,價格優(yōu)勢
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原裝現貨假一賠十
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公司只做原裝正品
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全新原裝正品現貨,支持訂貨
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更多3DD11F-T供應商 更新時間2025-2-22 16:30:00

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