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BSS8402DW

Marking：402；Package：SOT363；NP-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features Lowon-resistance Lowgatethresholdvoltage Lowinputcapacitance Fastswitchingspeed Halogenfree

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺舟電子臺舟電子股份有限公司

FCR402

Marking：402；Package：SOT-26；LED Drive Application.

FS

First Silicon Co., Ltd

TCK402G

Marking：402；Package：WCSP6E；External FET Driver IC

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

AZ4012-02S

Marking：402XY；Package：SOT23-3L；Transient Voltage Suppressing Device For ESD/Transient Protection

Features ESDProtectfor2LineswithUnidirectional ESDProtectfor1LinewithBidirectional ProvideESDprotectionforalineto IEC61000-4-2(ESD)±26kV(air) IEC61000-4-2(ESD)±20kV(contact) IEC61000-4-4(EFT)60A(5/50ns) Suitablefor,12Vandbelow,operating voltageap

AMAZINGAMAZING Microelectronic Corp.

晶焱科技晶焱科技股份有限公司

PBSS4021SN

Marking：4021SN；Package：SO8；20 V, 7.5 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor

Featuresandbenefits *Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat *HighcollectorcurrentcapabilityICandICM *Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC *Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltr

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBSS4021SP

Marking：4021SP；Package：SO8；20 V, 6.3 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor

Generaldescription PNP/PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaSOT96-1(SO8)mediumpowerSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Featuresandbenefits ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ■Highcol

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBSS4021SPN

Marking：4021SPN；Package：SO8；20 V NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor

Featuresandbenefits *Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat *HighcollectorcurrentcapabilityICandICM *Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC *Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltr

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

AP4024EJB

Marking：4024E；Package：TO-251S；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司

AP4024EM

Marking：4024E；Package：SO-8；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司

AP4028EP

Marking：4028EP；Package：TO-220；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司

替換型號

晶體管資料

  • 型號：

    40208

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-Di

  • 性質(zhì)：

    GI_功率放大 （L）

  • 封裝形式：

  • 極限工作電壓：

    50V

  • 最大電流允許值：

    18A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

  • 可代換的型號：

    1N4525,1N4526,1N4527,1N4528,1N4529,1N4530,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    NO

  • vtest：

    50

  • htest：

    999900

  • atest：

    18

  • wtest：

    0

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    402

  • 制造商：

    3M

  • 類別：

    工具 > 個人防護(hù)裝備（PPE）

  • 系列：

    BONDO

  • 包裝：

    盒

  • 類型：

    鞋套

  • 描述：

    DSPSBLPRTCTVOVERSHOE CVR 1=1PAIR

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