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RM6A2N250LD

Marking：6A2N25；Package：TO-252-2L；N-Channel Mode Power MOSFET

Features VDS=250V,ID=6.2A RDS(ON)=430mΩ(typical)@VGS=10V Newtechnologyforhighvoltagedevice Lowon-resistanceandlowconductionlosses Smallpackage UltraLowGateChargecause 100%AvalancheTested ROHScompliant Halogen-free

RECTRON

Rectron Semiconductor

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更多6A2N25供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-2 16:30:00

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