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FAE9R0SN06AL

Marking：9R0SN06AL；Package：DFNWB3X3-8L；Plastic-Encapsulate MOSFETS

DESCRIPTION DS(ON) TheFAE9R0SN06ALusesSGTtechnologyanddesigntoprovideexcellentRwithlowgatecharge. Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. FEATURES ?HighdensitycelldesignforultralowRDS(ON) ?Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent ?Goodstability

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

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更多9R0SN06AL供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-5 16:06:00

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