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A5G23H110N_V01

Airfast RF Power GaN Transistor

This13.8WasymmetricalDohertyRFpowerGaNtransistorisdesignedfor cellularbasestationapplicationsrequiringverywideinstantaneousbandwidth capabilitycoveringthefrequencyrangeof2300to2400MHz. Thispartischaracterizedandperformanceisguaranteedforapplications operati

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

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更多A5G23H110N_V01供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-14 15:38:00

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