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ADM200N06G

Marking：ADM200N06G；Package：TO-263-2；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●100%EASGuaranteed ●OptimizedV(BR)DSSRuggedness ●Lead-Free,RoHSCompliant Description: TheADM200N06GseriesMOSFETsisanewtechnology,whichcombinesaninnovativesuperjunc

ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd

愛(ài)德微愛(ài)德微(深圳)電子有限公司

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更多ADM200N06G供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-3 18:03:00

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