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BFP740	文件：38.66 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor ProductBrief TheBFP740isalinearverylownoisewidebandNPNbipolarRFtransistor.ThedeviceisbasedonInfineon’sreliablehighvolumesilicongermaniumcarbon(SiGe:C)heterojunctionbipolartechnology.ThecollectordesignsupportsvoltagesuptoVCEO=4.0VandcurrentsuptoIC=45	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP740	文件：599.41 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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BFP740	文件：1.78828 Mbytes Page：6 Pages	NPNTransistors ■Features ●HighgainultralownoiseRFtransistor ●Highmaximumstablegain ●Goldmetallizationforextrahighreliability ●150GHzfT-SiliconGermaniumtechnology ●OutstandingnoisefigureF=0.5dBat1.8GHz OutstandingnoisefigureF=0.85dBat6GHz	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
BFP740ESD	文件：1.93251 Mbytes Page：29 Pages	RobustHighPerformanceLowNoiseBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

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