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AOD409中文資料萬國(guó)半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

AOD409
廠商型號(hào)

AOD409

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

185.12 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Alpha & Omega Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

AOSMD萬國(guó)半導(dǎo)體

中文名稱

美國(guó)萬國(guó)半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-20 23:00:00

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AOD409規(guī)格書詳情

General Description

The AOD409 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and low gate resistance. With the excellent thermal resistance of the DPAK package, this device is well suited for high current load applications. Standard Product AOD409 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AOD409L is a Green Product ordering option. AOD409 and AOD409L are

electrically identical.

Features

VDS(V) = -60V

ID= -26A (VGS= -10V)

RDS(ON) < 40m?(VGS= -10V) @ -20A

RDS(ON)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    AOD409

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH -60V -26A TO-252

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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