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AIMBG120R010M1

Marking：AS10MM1；Package：PG-TO263-7-HV-ND5.8；CoolSiC? 1200 V SiC Trench MOSFET

Features ?VDSS=1200VatTvj=-55...175°C ?IDDC=205AatTC=25°C ?RDS(on)=8.7mΩatVGS=20V,Tvj=25°C ?Newperformance-optimizedchiptechnology(Gen1p)withimprovedRDSon*AFOM ?Bestinclassswitchingenergyforlowerswitchinglossesandreducedcoolingefforts ?Lowe

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更多AS10MM1供應商 更新時間2025-5-3 9:02:00

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