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AIMBG120R120M1

Marking：AS120MM1；Package：PG-TO263-7-HV-ND5.8；Final datasheet CoolSiC? 1200 V SiC Trench MOSFET : Silicon Carbide MOSFET

Features ?VDSS=1200VatTvj=-55...175°C ?IDDC=22AatTC=25°C ?RDS(on)=117mΩatVGS=20V,Tvj=25°C ?Newperformance-optimizedchiptechnology(Gen1p)withimprovedRDSon*A ?Bestinclassswitchingenergyforlowerswitchinglossesandreducedcoolingefforts ?Lowestde

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更多AS120MM1供應(yīng)商 更新時間2025-5-4 14:32:00

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