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Marking：B12；Package：SOT-23；NPN General Purpose Amplifier | LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司 | LUGUANG | ||
Marking：B1202；Package：TL；Bipolar Transistor (-)50V, (-)3A, Low VCE(sat) (PNP)NPN Single TP/TP-FA BipolarTransistor (–)50V,(–)3A,LowVCE(sat)(PNP)NPNSingleTP/TP-FA Features ?AdoptionofFBETandMBITprocesses ?LargecurrentcapacitanceandwideASO ?Lowcollectortoemittersaturationvoltage ?Fastswitchingspeed ?Smallandslimpackagemakingiteasytomake2SB1202/2SD1 | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
Marking：B1237；Package：ATV；Medium Power Transistor MediumPowerTransistor(-32V,-1A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.2V(Typ.) (IC/IB=-500mA/-50mA) 2)Compliments2SD1664/2SD1858 Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor | ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團 | ROHM | ||
Marking：B1274；Package：TO-220-3L；TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES WideASO(AdoptionofMBITProcess). LowSaturationVoltage. HighReliability. HighBreakdownVoltage. | DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司 | DGNJDZ | ||
Marking：B123；Package：SOT-23；N-Channel 100-V(D-S) MOSFET FEATURE: ●RuggedandRelaible ●HighdensitycelldesignforextremelylowRDS(on) ●SurfaceMountPackage ●VoltageControlledSmallSignalSwitch VDS(V)=100V ID=0.17A(VGS=10V) RDS(ON) | UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司 | UMW | ||
Marking：B123；Package：SOT-23；N Channel MOSFET FEATURE SurfaceMountPackage HighDensityCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) VoltageControlledSmallSignalSwitch RuggedandReliable | SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 順燁電子江蘇順燁電子有限公司 | SY | ||
Marking：B123；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor ProductSummary ●VDS100V ●ID200mA ●RDS(ON)(atVGS=10V) | YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 揚州揚杰電子揚州揚杰電子科技股份有限公司 | YANGJIE | ||
Marking：B123KX；Package：SOT-23；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GeneralFeatures ●VDS=100V,ID=0.17A RDS(ON) | NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司 | NCEPOWER | ||
Marking：B127；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description ThisnewgenerationusesadvancedplanartechnologyMOSFET, provideexcellenthighvoltageandfastswitching,makingitidealfor small-signalandlevelshiftapplications. Features LowInputCapacitance HighBVDSSRatingforPowerApplication LowInput/OutputLeakage Appl | RECTRON Rectron Semiconductor | RECTRON | ||
Marking：B12C；Package：SOT-23；Transient Voltage Suppressors for ESD Protection Feature 140~298WattsPeakPulsePowerperLine(tp=8/20μs) ProtectstwoI/Olines Lowclampingvoltage Workingvoltages:3.3V~36V Lowleakagecurrent IEC61000-4-2(ESD)±30kV(air),±30kV(contact)3.3V~15V IEC61000-4-2(ESD)±15kV(air),±8kV(contact)24V~36V IEC61000-4-4(EFT)40A(5 | UNSEMIUN Semiconducctor INC 優(yōu)恩半導(dǎo)體深圳市優(yōu)恩半導(dǎo)體有限公司 | UNSEMI |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
射頻/高頻放大 （HF）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
- 極限工作電壓：
35V
- 最大電流允許值：
2.5A
- 最大工作頻率：
175MHZ
- 引腳數(shù)：
- 可代換的型號：
3DA100B,
- 最大耗散功率：
25W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
NO
- vtest：
35
- htest：
175000000
- atest：
2.5
- wtest：
25
詳細(xì)參數(shù)
- 型號：
B12
- 制造商：
Industrial Timer Company(ITC)
- 功能描述：
DISPLAYS TIMER COUNTER((NW))
- 功能描述：
GEAR RACK, Accessory Type
- 制造商：
Hubbell Premise Wiring
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
QFN |
5000 |
詢價 | |||||
POWERMITE |
2023+環(huán)?，F(xiàn)貨 |
SOD-123 |
10 |
專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)等方案配套一站式服務(wù) |
詢價 | ||
JST/日壓 |
24+ |
406 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | |||
TO92 |
2600 |
全新原裝進口自己庫存優(yōu)勢 |
詢價 | ||||
BOURNS/伯恩斯 |
13+ |
SMD |
29728 |
進口盤盒現(xiàn)貨/2K |
詢價 | ||
MORNSUN |
24+ |
DC-DC |
35200 |
一級代理/放心采購 |
詢價 | ||
ST |
24+ |
SOT23-5 |
3600 |
絕對原裝!現(xiàn)貨熱賣! |
詢價 | ||
(FOXCONN)HONHAIPRECISION |
16+ |
NA |
8800 |
原裝現(xiàn)貨,貨真價優(yōu) |
詢價 | ||
GANMA |
23+ |
原廠封裝 |
90000 |
一定原裝正品 |
詢價 | ||
BOURNS/伯恩斯 |
23+ |
SMD |
10880 |
原裝正品，支持實單 |
詢價 |
