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BC859B分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

BC859B
廠商型號(hào)

BC859B

參數(shù)屬性

BC859B 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3

功能描述

General Purpose Transistors

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

922.79 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Yea Shin Technology Co., Ltd
企業(yè)簡(jiǎn)稱

YEASHIN亞昕科技

中文名稱

亞昕科技股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-3-31 20:07:00

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BC859B規(guī)格書詳情

General Purpose Transistors

PNP Silicon

? Moisture Sensitivity Level: 1

? ESD Rating

– Human Body Model: >4000 V

– Machine Model: >400 V

? We declare that the material of product compliance with

RoHS requirements.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BC859BLT1

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    650mV @ 5mA,100mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    15nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    220 @ 2mA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    100MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
NXP
11+
SOT-23
2600
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價(jià)
三年內(nèi)
1983
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##公司主營(yíng)品牌長(zhǎng)期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù)
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24+
SOT-323
45000
熱賣優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨
詢價(jià)
PHI
SOT-23
68500
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨
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21+
NA
3000
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨
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