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BDW63D

Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ?CollectorCurrent-IC=6A ?HighDCCurrentGain-hFE=750(Min.)@IC=2A ?ComplementtoTypeBDW64/A/B/C/D APPLICATIONS ?Designedforaudiooutputstagesandgeneralamplifierandswitchingapplications

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

BDW63A

NPN SILICON POWER DARLINGTONS

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

BDW63B

NPN SILICON POWER DARLINGTONS

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

BDW63C

NPN SILICON POWER DARLINGTONS

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

BDW63D

NPN SILICON POWER DARLINGTONS

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

BDW63B-S

Package:TO-220-3;包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS NPN DARL 80V 6A TO220

Bourns Inc.

Bourns Inc.

Bourns Inc.

BDW63C-S

Package:TO-220-3;包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS NPN DARL 100V 6A TO220

Bourns Inc.

Bourns Inc.

Bourns Inc.

BDW63D-S

Package:TO-220-3;包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS NPN DARL 120V 6A TO220

Bourns Inc.

Bourns Inc.

Bourns Inc.

晶體管資料

  • 型號:

    BDW63

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    45V

  • 最大電流允許值:

    6A

  • 最大工作頻率:

    >1MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BD265,BD643,BD895,BDW23,BDW73,BDX53,FH7B,

  • 最大耗散功率:

    60W

  • 放大倍數(shù):

    β>750

  • 圖片代號:

    B-10

  • vtest:

    45

  • htest:

    1000100

  • atest:

    6

  • wtest:

    60

詳細參數(shù)

  • 型號:

    BDW63

  • 功能描述:

    達林頓晶體管 60W 6A NPN

  • RoHS:

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 配置:

    Octal

  • 晶體管極性:

    NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    50 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    集電極—基極電壓

  • 最大直流電集電極電流:

    0.5 A

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 安裝風格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    SOIC-18

  • 封裝:

    Reel

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
24+
TO-220
10000
全新
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BOURNS
23+
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19960
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ST/意法
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TO-220
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