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BLS9G3135L-115分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
BLS9G3135L-115 |
| 參數(shù)屬性 | BLS9G3135L-115 封裝/外殼為SOT-1135A；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：BLS9G3135L-115/SOT1135/TRAY |
| 功能描述 | LDMOS S-band radar power transistor |
| 封裝外殼 | SOT-1135A |
| 文件大小 |
1.17434 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
13 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Ampleon USA Inc. |
| 企業(yè)簡稱 |
Ampleon【安譜隆】 |
| 中文名稱 | 安譜隆官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-5-4 17:10:00 |
| 人工找貨 | BLS9G3135L-115價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
BLS9G3135L-115規(guī)格書詳情
BLS9G3135L-115屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLS9G3135L-115晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
General description
115 W LDMOS power transistor for S-band radar applications in the frequency range from
3.1 GHz to 3.5 GHz.
Features and benefits
? High efficiency
? Excellent ruggedness
? Excellent thermal stability
? Easy power control
? Integrated dual sided ESD protection enables excellent off-state isolation
? High flexibility with respect to pulse formats
? Internally matched for broadband matching in 3.1 GHz to 3.5 GHz S-band operation
? For RoHS compliance see the product details on the Ampleon website
Applications
? S-band radar applications in the frequency range 3.1 GHz to 3.5 GHz
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
BLS9G3135L-115U
- 制造商：
Ampleon USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
管件
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
3.1GHz ~ 3.5GHz
- 增益：
11dB
- 功率 - 輸出：
115W
- 封裝/外殼：
SOT-1135A
- 供應(yīng)商器件封裝：
CDFM2
- 描述：
BLS9G3135L-115/SOT1135/TRAY
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
DIP |
880000 |
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詢價 | ||
VISHAY原裝 |
25+23+ |
DIP |
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詢價 | ||
PHILIPS |
22+ |
SOT122A |
8000 |
原裝正品支持實單 |
詢價 | ||
VISHAY |
24+ |
DIP |
2500 |
詢價 | |||
JST/日壓 |
22+ |
連接器 |
728922 |
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詢價 | ||
PHILIPS/飛利浦 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
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