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BU406D

POWER TRANSISTORS(7A,150-200V,60W)

MOSPECMospec Semiconductor

統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司

BU406D

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(HIGH VOLTAGE SWITCHING USE IN HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT STAGE)

HIGHVOLTAGESWITCHINGUSEINHORIZONTALDEFLECTIONOUTPUTSTAGE

WINGSWing Shing Computer Components

永盛電子永盛電子(香港)有限公司

BU406D

NPN POWER TRANSISTOR

bocaBoca Semiconductor Corporation

博卡博卡半導(dǎo)體公司

BU406D

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ?WithTO-220Cpackage ?Highvoltage ?Fastswitchingspeed ?Lowsaturationvoltage ?Built-indamperdiode APPLICATIONS ?ForuseinhorizontaldeflectionoutputstagesofTV’sandCTV’scircuits

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BU406D

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·Highvoltage ·Fastswitchingspeed ·Lowsaturationvoltage ·Built-indamperdiode APPLICATIONS ·ForuseinhorizontaldeflectionoutputstagesofTV’sandCTV’scircuits

SAVANTIC

Savantic, Inc.

BU406D

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ?HighVoltage:VCEV=400V(Min) ?FastSwitchingSpeed- :tf=750μs(Max) ?LowSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.0V(Max)@IC=5A APPLICATIONS ?Designedforuseinhorizontaldeflectionoutputstages ofTV’sandCRT’s

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

BU406F

iscSiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION ?HighVoltage ?FastSwitchingSpeed- :toff=0.75μs(Max) ?LowSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.0V(Max)@IC=5A APPLICATIONS ?Designedforuseinconverters,inverters,switchingregulatorsandmotorcontrolsystemsetc.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BU406FI

iscSiliconNPNPowerTransistors

SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ?HighVoltage ?FastSwitchingSpeed-:toff=0.75μs(Max) ?LowSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.0V(Max)@IC=5A APPLICATIONS ?Designedforuseinconverters,inverters,switchingregulatorsandmotorcontrolsystemsetc.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BU406G

NPNPowerTransistors

NPNSILICONPOWERTRANSISTORS7AMPERES?60WATTS150AND200VOLTS Thesedevicesarehighvoltage,highspeedtransistorsforhorizontaldeflectionoutputstagesofTV’sandCRT’s. Features ?HighVoltage:VCEV=330or400V ?FastSwitchingSpeed:tf=750ns(max) ?LowSaturationVoltag

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

BU406G

NPNPowerTransistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

晶體管資料

  • 型號(hào):

    BU406D

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-N+Di

  • 性質(zhì):

    +INTEGR_DAMPER_DIODE

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    400V

  • 最大電流允許值:

    7A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    BU104DP,BU408D,2SC3176,

  • 最大耗散功率:

    60W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    B-10

  • vtest:

    400

  • htest:

    999900

  • atest:

    7

  • wtest:

    60

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    BU406D

  • 制造商:

    NTE Electronics

  • 功能描述:

    T-NPN SI-HIV SW

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多BU406D供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-11 14:10:00