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BUL382 | isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector–EmitterSustainingVoltage:VCEO(SUS)=400V(Min.) ·LowCollectorSaturationVoltage:VCE(sat)=0.5V(Max)@IC=1A ·VeryHighSwitchingSpeed APPLICATIONS ·Designedforuseinlightingapplicationsandlowcostswitchmodepowersupplies. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | |
BUL382 | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION TheBUL381andBUL382manufacturedusinghighvoltageMultiepitaxialMesatechnologyfor cost-effectivehighperformance.TheyuseaHollowEmitterstructuretoenhanceswitching speeds.TheBULseriesisdesignedforuseinlightingapplicationsandlowcostswitch-modepower | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán) | STMICROELECTRONICS | |
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTORS DESCRIPTION TheBUL381DismanufacturedusinghighvoltageMultiEpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandhighvoltagecapability.TheBULseriesisdesignedforuseinlightingapplicationsandlowcostswitch-modepowersupplies. ■STMicroelectronicsPREFERREDSALESTYPE | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán) | STMICROELECTRONICS | ||
SIPMOSPowerTransistor(400V12.5A0.4OhmTO-218AA) SIPMOS?PowerTransistor ?Nchannel ?Enhancementmode ?FREDFET | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國(guó)西門子股份公司 | SIEMENS | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=12.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
PCIEBusSubsIdIaryandPrIntoutchip | WCHNanjing Qinheng Microelectronics Co., Ltd. 沁恒微電子南京沁恒微電子股份有限公司 | WCH | ||
T-13/4MidgetFlangeBase T-13/4MidgetFlangeBase | CML Chicago Miniature Lamp,inc | CML | ||
MidgetFlangeBase | VCC Visual Communications Company | VCC | ||
SmallSignalTransistorNPN-LowVCE(SAT)TransistorChip PROCESSDETAILS DieSize26x26MILS DieThickness5.9MILS BaseBondingPadArea5.5x5.5MILS EmitterBondingPadArea5.5x5.5MILS TopSideMetalizationAl-30,000? BackSideMetalizationAu-12,000? | CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體 | Central | ||
CombustibleGasDetector | boschBosch Sensortec GmbH 博世博世半導(dǎo)體 | bosch |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
開關(guān)管 （S）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
800V
- 最大電流允許值：
5A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
BUT11(A),BUT46,BUV46(A),2SC3047,
- 最大耗散功率：
70W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
B-10
- vtest：
800
- htest：
999900
- atest：
5
- wtest：
70
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
BUL382
- 制造商：
STMICROELECTRONICS
- 制造商全稱：
STMicroelectronics
- 功能描述：
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
仙童 |
06+ |
TO-220 |
20000 |
原裝 |
詢價(jià) | ||
ST |
24+ |
TO-220 |
2500 |
原裝現(xiàn)貨熱賣 |
詢價(jià) | ||
ST |
17+ |
TO-220 |
6200 |
詢價(jià) | |||
ST |
24+ |
TO-220 |
5000 |
全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
PHI/ON |
1738+ |
TO-220 |
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ST |
24+ |
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詢價(jià) | ||
NXP |
23+ |
TO-220 |
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詢價(jià) | ||
ST |
23+ |
TO-220 |
20000 |
專做原裝正品,假一罰百! |
詢價(jià) | ||
NXP/恩智浦 |
23+ |
TO-263 |
69820 |
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詢價(jià) | ||
ST |
2447 |
TO-220 |
100500 |
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詢價(jià) |
