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PCDB0865G1

Marking：CDB0865G1；Package：TO-263；Silicon Carbide Schottky Barrier Diode

Features ?TemperatureIndependentSwitchingBehavior ?HighSurgeCurrentCapability ?PositiveTemperatureCoefficientonVF ?LowConductionLoss ?ZeroReverseRecovery ?Highjunctiontemperature175oC ?LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 ?GreenmoldingcompoundasperIEC612

PANJITPan Jit International Inc.

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更多CDB0865G1供應(yīng)商 更新時間2025-3-21 10:08:00

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