CEB16N6中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號 |
CEB16N6 |
功能描述 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
文件大小 |
668.66 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
4 頁 |
生產(chǎn)廠商 | CET-MOS Technology Corp. |
企業(yè)簡稱 |
CET-MOS【華瑞】 |
中文名稱 | 華瑞功率電子股份有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-3-26 17:29:00 |
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CEB16N6規(guī)格書詳情
FEATURES
Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
High power and current handing capability.
RoHS compliant.
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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CET |
1822+ |
TO-263 |
9852 |
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CUI |
23+ |
原廠原包 |
19960 |
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太友 |
24+ |
N/A |
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CET |
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TO-263 |
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CET |
24+ |
TO-263 |
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CET |
24+ |
50000 |
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CET |
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TO-263 |
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CET/華瑞 |
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TO-263 |
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CET/華瑞 |
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