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CED12N10

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■100V,11A,RDS(ON)=180mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CED12N10

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?DT-TrenchPowerMOSFET ?175°CJunctionTemperature ?100RgTested APPLICATIONS ?PrimarySideSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

CED12N10

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 100V,11A,RDS(ON)=180mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CED12N10

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

CED12N10L

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■100V,11A,RDS(ON)=175mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=185mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CED12N10L

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?DT-TrenchPowerMOSFET ?175°CJunctionTemperature ?100RgTested APPLICATIONS ?PrimarySideSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

CED12N10L

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 100V,11A,RDS(ON)=175mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=185mW@VGS=5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CED12N10_08

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEU12N10

N-Channel100V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

CEU12N10

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■100V,11A,RDS(ON)=180mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    CED12N10

  • 制造商：

    CET

  • 制造商全稱：

    Chino-Excel Technology

  • 功能描述：

    N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
CET/華瑞
25+
TO-251
156677
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
CET
23+
原廠原包
19960
只做進(jìn)口原裝 終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價(jià)
VBsemi(臺(tái)灣微碧)
2447
TO-251
105000
80個(gè)/管一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期
 詢價(jià)
VBSEMI/臺(tái)灣微碧
23+
TO251
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
VBsemi
23+
TO251
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
CET/華瑞
2022+
TO-251
50000
原廠代理 終端免費(fèi)提供樣品
 詢價(jià)
CET
23+
TO-251
6000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
VBsemi
21+
TO251
10065
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價(jià)
CET
23+
TO-251
7300
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
 詢價(jià)
VBsemi
24+
TO251
18000
原裝正品 有掛有貨 假一賠十
 詢價(jià)
更多CED12N10供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-27 8:10:00

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