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CED12N10中文資料微碧半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

CED12N10
廠商型號(hào)

CED12N10

功能描述

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

文件大小

978.88 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 VBsemi Electronics Co.,Ltd
企業(yè)簡(jiǎn)稱

VBSEMI微碧半導(dǎo)體

中文名稱

微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-23 20:00:00

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CED12N10規(guī)格書(shū)詳情

FEATURES

? DT-TrenchPower MOSFET

? 175 °C Junction Temperature

? 100 Rg Tested

APPLICATIONS

? Primary Side Switch

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    CED12N10

  • 制造商:

    CET

  • 制造商全稱:

    Chino-Excel Technology

  • 功能描述:

    N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
VB
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