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CEE02N6G中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

CEE02N6G
廠商型號(hào)

CEE02N6G

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

723.02 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 CET-MOS Technology Corp.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

CET-MOS華瑞

中文名稱

華瑞功率電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-2-12 11:23:00

CEE02N6G規(guī)格書詳情

FEATURES

600V, 2.0A, RDS(ON) = 5.0W @VGS = 10V.

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

TO-126 package.

Lead-free plating ; RoHS compliant.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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