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TIM1213-30L

MICROWAVEPOWERGaAsFET

FEATURES ?BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET ?HIGHPOWER P1dB=45.0dBmat12.7GHzto13.2GHz ?HIGHGAIN G1dB=5.5dBat12.7GHzto13.2GHz ?LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3=-28dBcatPout=33dBm(SingleCarrierLevel) ?HERMETICALLYSEALEDPACKAGE

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多CM1213-30MR供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-21 15:53:00

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