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ENA1076A	文件：463.15 Kbytes Page：8 Pages	Low-Voltage,Low-CurrentHigh-FrequencyAmplifierApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會社	SANYO
EPR1076S	文件：36.15 Kbytes Page：1 Pages	T1/CEPT/ISDN-PRIInterfaceTransformers	PCA PCA ELECTRONICS INC.	PCA
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F1076	文件：38.74 Kbytes Page：2 Pages	PATENTEDGOLDMETALIZEDSILICONGATEENHANCEMENTMODERFPOWERVDMOSTRANSISTOR GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitaryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI,LaserDriverandothers. Polyfetprocessfeaturesgoldmetalforgreatlyextendedlifetime	Polyfet Polyfet RF Devices	Polyfet
GILLFAB1076A	文件：160.81 Kbytes Page：3 Pages	alightweight,highimpactresistant,lowsmokeandtoxicity,fiberglassreinforcedphenoliclaminate	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
ISFM1076	文件：349.99 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=5.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=100mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCBrickApplications ·InvertersforDCMotors ·BoostConverters ·SecondarySideSynchronousRectification	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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