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FM630-T

ChipSchottkyBarrierDiodes-Siliconepitaxialplanertype

Features PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. Forsurfacemountedapplications. ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 Lowleakagecurrent.

FORMOSAFormosa MS

美麗微半導(dǎo)體美麗微半導(dǎo)體股份有限公司

FPN630

PNPLowSaturationTransistor

PNPLowSaturationTransistor Thesedevicesaredesignedforhighcurrentgainandlow saturationvoltagewithcollectorcurrentsupto3.0Acontinuous. SourcedfromProcessPC.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FPN630A

PNPLowSaturationTransistor

PNPLowSaturationTransistor Thesedevicesaredesignedforhighcurrentgainandlow saturationvoltagewithcollectorcurrentsupto3.0Acontinuous. SourcedfromProcessPC.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FPT630

MiniatureCeramicSiliconPhototransistors

GeneralDescription TheFPT610andFPT630areminiature phototransistorswithexceptionallystable characteristics.Theyutilizeaceramiccasewith transparentresinencapsulation.Thespectral response,extendingfrom400to1100nm,is compatiblewithdaylight,tungstenandgallium arsen

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQB630

200VN-ChannelMOSFET

200VN-ChannelMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQD630

200VN-ChannelMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQD630

200VLOGICN-ChannelMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQD630TF

N-channelEnhancementModePowerMOSFET

Features ?VDS=200V,ID=8A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

FQD630TM

200VLOGICN-ChannelMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQD630TM

N-channelEnhancementModePowerMOSFET

Features ?VDS=200V,ID=8A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    EGPA630E

  • 功能描述：

    鋁質(zhì)電解電容器 - 帶引線 1000uF 63 Volt

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Kemet

  • 電容：

    220 uF

  • 容差：

    20 %

  • 電壓額定值：

    25 V

  • 端接類型：

    Radial

  • 外殼直徑：

    8 mm

  • 外殼長度：

    11 mm

  • 引線間隔：

    5 mm

  • 產(chǎn)品：

    General Purpose Electrolytic Capacitors

  • 封裝：

    Bulk

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多EGPA630E供應(yīng)商 更新時間2021-9-14 10:50:00

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