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FQI630

200VN-ChannelMOSFET

200VN-ChannelMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQP630

200VN-ChannelMOSFET

Features ?9A,200V,RDS(on)=0.4?@VGS=10V ?Lowgatecharge(typical19nC) ?LowCrss(typical35pF) ?Fastswitching ?100avalanchetested ?Improveddv/dtcapability

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQP630

200VN-ChannelMOSFET

Features ?9A,200V,RDS(on)=0.4?@VGS=10V ?Lowgatecharge(typical19nC) ?LowCrss(typical35pF) ?Fastswitching ?100avalanchetested ?Improveddv/dtcapability

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQP630TSTU

200VN-ChannelMOSFET

Features ?9A,200V,RDS(on)=0.4?@VGS=10V ?Lowgatecharge(typical19nC) ?LowCrss(typical35pF) ?Fastswitching ?100avalanchetested ?Improveddv/dtcapability

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    EGPA630E

  • 功能描述：

    鋁質(zhì)電解電容器 - 帶引線 1000uF 63 Volt

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Kemet

  • 電容：

    220 uF

  • 容差：

    20 %

  • 電壓額定值：

    25 V

  • 端接類型：

    Radial

  • 外殼直徑：

    8 mm

  • 外殼長(zhǎng)度：

    11 mm

  • 引線間隔：

    5 mm

  • 產(chǎn)品：

    General Purpose Electrolytic Capacitors

  • 封裝：

    Bulk

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多EGPA630E供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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