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IRF710

2.0A,400V,3.600Ohm,N-ChannelPowerMOSFET

ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching

Intersil

Intersil Corporation

IRF710

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRF710

N-ChannelPowerMOSFETs,2.25A,350-400V

Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriverandhighenergypulsecircuits. ?LowRDS(on) ?VGSRatedat±20V

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IRF710

N-ChannelPowerMOSFETs,2.25A,350-400V

Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriverandhighenergypulsecircuits. ?LowRDS(on) ?VGSRatedat±20V

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

IRF710

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRF710

IRF710-713MTP2N35/2N40N-ChannelPowerMOSFETs

Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriverandhighenergypulsecircuits. ?LowRDS(on) ?VGSRatedat±20V

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

IRF710

N-ChannelMosfetTransistor

·DESCRITION ·Designedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. ·FEATURES ·LowRDS(on) ·VGSRatedat±20V ·SiliconGateforFastSwitchingSpeed ·Rugged ·LowDrive

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRF710

N-ChannelPowerMOSFETs

ARTSCHIP

ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.

IRF710

PowerMOSFETFEATURES

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRF710A

AdvancedPowerMOSFET(400V,3.6ohm,2A)

FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=400V ?LowRDS(ON):2.815?(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    EW710B

  • 制造商：

    Asahi Kasei Microdevices/AKM

  • 類別：

    傳感器，變送器 > 磁性傳感器 - 開(kāi)關(guān)（固態(tài)）

  • 系列：

    EW

  • 包裝：

    散裝

  • 功能：

    卡銷

  • 技術(shù)：

    霍爾效應(yīng)

  • 極化：

    南極

  • 感應(yīng)范圍：

    6mT 跳閘，-6mT 釋放

  • 測(cè)試條件：

    25°C

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 26V

  • 電流 - 供電（最大值）：

    6mA

  • 電流 - 輸出（最大值）：

    10mA

  • 輸出類型：

    開(kāi)路集電極

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 115°C（TA）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    3-SIP

  • 封裝/外殼：

    3-SIP

  • 描述：

    MAGNETIC SWITCH LATCH 3SIP

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
AKM
23+
TO-92
15000
原裝**現(xiàn)貨現(xiàn)貨
 詢價(jià)
AKE
23+
NA
45000
專業(yè)電子元器件供應(yīng)鏈正邁科技特價(jià)代理QQ1304306553
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AKM
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500個(gè)/圓盤一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)
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就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!
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一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
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更多EW710B供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-9 17:06:00

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