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FDH3632

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FDH3632

N-ChannelPowerTrenchMOSFET

Features ?rDS(ON)=7.5m?(Typ.),VGS=10V,ID=80A ?Qg(tot)=84nC(Typ.),VGS=10V ?LowMillerCharge ?LowQRRBodyDiode ?UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) ?QualifiedtoAECQ101 Applications ?DC/DCconvertersandOff-LineUPS ?Distribute

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDI3632

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=9mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·Designedforuseinswitchmod

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FDI3632

N-ChannelPowerTrenchMOSFET

Features ?rDS(ON)=7.5m?(Typ.),VGS=10V,ID=80A ?Qg(tot)=84nC(Typ.),VGS=10V ?LowMillerCharge ?LowQRRBodyDiode ?UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) ?QualifiedtoAECQ101 Applications ?DC/DCconvertersandOff-LineUPS ?Distribute

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDI3632

N-ChannelPowerTrenchMOSFET100V,80A,9m?

Features ?rDS(ON)=7.5m?(Typ.),VGS=10V,ID=80A ?Qg(tot)=84nC(Typ.),VGS=10V ?LowMillerCharge ?LowQRRBodyDiode ?UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) ?QualifiedtoAECQ101 Applications ?DC/DCconvertersandOff-LineUPS ?Distribute

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDP3632

N-ChannelPowerTrenchMOSFET100V,80A,9m?

Features ?rDS(ON)=7.5m?(Typ.),VGS=10V,ID=80A ?Qg(tot)=84nC(Typ.),VGS=10V ?LowMillerCharge ?LowQRRBodyDiode ?UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) ?QualifiedtoAECQ101 Applications ?DC/DCconvertersandOff-LineUPS ?Distribute

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDP3632

N-ChannelPowerTrenchMOSFET

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDP3632

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

HH-3632

BATTERYHOLDER-2AA

BUD

Bud Industries, Inc.

JHV3632

HIGHVOLTAGERECTIFIERASSEMBLY

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    FDB3632_Q

  • 功能描述：

    MOSFET N-Channel PowerTrench

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Fairchild
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D2PAK(TO-263AB)
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更多FDB3632_Q供應商 更新時間2025-4-27 9:18:00

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