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FDFMA2P029Z

Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode -20V, -3.1A, 95mohm

GeneralDescription Thisdeviceisdesignedspecificallyasasinglepackagesolutionforthebatterychargeswitchincellularhandsetandotherultraportableapplications.ItfeaturesaMOSFETwithverylowonstateresistanceandanindependentlyconnectedlowforwardvoltageschottkydiodeall

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDFMA2P029Z

Marking：P29；Package：WDFN6；P-Channel MOSFET

Features MOSFET ?MaxrDS(on)=95matVGS=–4.5V,ID=–3.1A ?MaxrDS(on)=141matVGS=–2.5V,ID=–2.5A ?HBMESDProtectionLevel>2.5kV(Note1) Schottky ?VF

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

FDFMA2P029Z

Integrated P-Channel PowerTrench? MOSFET and Schottky Diode .20V, .3.1A, 95m

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDFMA2P029Z-F106

Marking：P29；Package：WDFN6；P-Channel MOSFET

Features MOSFET ?MaxrDS(on)=95matVGS=–4.5V,ID=–3.1A ?MaxrDS(on)=141matVGS=–2.5V,ID=–2.5A ?HBMESDProtectionLevel>2.5kV(Note1) Schottky ?VF

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

FDFMA2P029Z_08

Integrated P-Channel PowerTrench? MOSFET and Schottky Diode .20V, .3.1A, 95m

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

詳細參數

  • 型號：

    FDFMA2P029Z

  • 功能描述：

    MOSFET -20V P-Channel PT MFET_SCHOTTKY

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
FAI
0940+
MLP-6
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原裝現貨只有原裝
 詢價
SSCP
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SSCP
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ON/安森美
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DFN2020-6
120000
原裝正品 可含稅交易
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支持大陸交貨,美金交易。原裝現貨庫存。
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ON/安森美
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DFN2020-6
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更多FDFMA2P029Z供應商 更新時間2025-2-6 12:12:00

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