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FGA15N120ANTDTU-F109分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

FGA15N120ANTDTU-F109
廠商型號

FGA15N120ANTDTU-F109

參數(shù)屬性

FGA15N120ANTDTU-F109 封裝/外殼為TO-3P-3,SC-65-3;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT 1200V 30A 186W TO3P

功能描述

1200 V, 15 A NPT Trench IGBT
IGBT 1200V 30A 186W TO3P

絲印標識

FGA15N120ANTDTU

封裝外殼

TO-3P / TO-3P-3,SC-65-3

文件大小

907.45 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-11 23:00:00

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FGA15N120ANTDTU-F109規(guī)格書詳情

FGA15N120ANTDTU-F109屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導體公司制造生產的FGA15N120ANTDTU-F109晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    FGA15N120ANTDTU-F109

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    NPT 和溝道

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,15A

  • 開關能量:

    3mJ(開),600μJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    15ns/160ns

  • 測試條件:

    600V,15A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-3P

  • 描述:

    IGBT 1200V 30A 186W TO3P

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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