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FGA25N120ANTD分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

FGA25N120ANTD
廠商型號

FGA25N120ANTD

參數屬性

FGA25N120ANTD 封裝/外殼為TO-3P-3,SC-65-3;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT 1200V 50A 312W TO3P

功能描述

NPT Trench IGBT

封裝外殼

TO-3P-3,SC-65-3

文件大小

385.96 Kbytes

頁面數量

4

生產廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導體股份有限公司官網

原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-12 20:00:00

FGA25N120ANTD規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

· NPT Trench Technology, Positive temperature coefficien

· Extremely enhanced avalanche capabilityt

· Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 2.0 V(Typ.) @ IC = 25 A

APPLICATIONS

·Solar Inverter, UPS, Welder, Digital Power Generator

·Telecom, ESS

產品屬性

  • 產品編號:

    FGA25N120ANTDTU-F109

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    NPT 和溝道

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.65V @ 15V,50A

  • 開關能量:

    4.1mJ(開),960μJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    50ns/190ns

  • 測試條件:

    600V,25A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-3P

  • 描述:

    IGBT 1200V 50A 312W TO3P

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