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FGH60N60分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

FGH60N60
廠商型號

FGH60N60
參數(shù)屬性

FGH60N60 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247
功能描述

IGBT - Field Stop 600 V, 60 A
IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247
封裝外殼

TO-247-3
文件大小

488.41 Kbytes
頁面數(shù)量

11 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-22 22:58:00
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FGH60N60規(guī)格書詳情

FGH60N60屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的FGH60N60晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

Description

Using novel field stop IGBT technology, ON Semiconductor’s new

series of field stop 2nd generation IGBTs offer the optimum

performance for solar inverter, UPS, welder, telecom, ESS and PFC

applications where low conduction and switching losses are essential.

Features

? Maximum Junction Temperature: TJ = 175°C

? Positive Temperature Co?efficient for easy Parallel Operating

? High Current Capability

? Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.9 V (Typ.) @ IC = 60 A

? High Input Impedance

? Fast Switching: EOFF = 7.5 uJ/A

? Tightened Parameter Distribution

? This Device is Pb?Free and is RoHS Compliant

Applications

? Solar Inverter, UPS, Welder, PFC, Telecom, ESS

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    FGH60N60SFDTU-F085

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.9V @ 15V，60A

  • 開關(guān)能量：

    1.97mJ（開），570μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    26ns/134ns

  • 測試條件：

    400V，60A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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