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FQD13N10LTM中文資料翊歐數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

FQD13N10LTM
廠商型號(hào)

FQD13N10LTM

功能描述

100V N-Channel MOSFET

文件大小

675.84 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED
企業(yè)簡稱

EVVOSEMI翊歐

中文名稱

翊歐半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-5-6 23:40:00

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FQD13N10LTM規(guī)格書詳情

Description

This advancedMOSFET technology has been especially

tailored to reduceon-state resistance, and to provide

superior switchingperformance and high avalanche

energy strength. Thesedevices are suitable for switched

mode power supplies,audio amplifier, DC motor control,

and variable switchingpower applications.

Features

VDS (V) = 100V

ID = 10A (VGS = 10V)

RDS(ON)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    FQD13N10LTM

  • 功能描述:

    MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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