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H04N60	文件：60.85 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThisadvancedhighvoltageMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Thisnewhighenergydevicealsooffersadrain-to-sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationssuchaspowersupl	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
H04N60E	文件：60.85 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThisadvancedhighvoltageMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Thisnewhighenergydevicealsooffersadrain-to-sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationssuchaspowersupl	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
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IGU04N60T	文件：464.28 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBT:IGBTinTRENCHSTOP??technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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惠芯易購（深圳）科技有限公司	FSU04N60AIC	INPOWR	12+	TO-251	1818	只做原裝正品	詢價(jià)
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深圳市東來寶電子科技有限公司	FSU04N60AIC	INPOWR	24+	TO-251	43200	鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市華斯頓科技有限公司	FSU04N65A	IPS	25+23+	TO-251	36434	絕對原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨	詢價(jià)
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