| 零件編號 | 下載 訂購 | 功能描述/絲印 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
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Marking：G10N03；Package：SOP-8；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG10N03Susesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters | GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半導(dǎo)體 | GOFORD | ||
Marking：G10N10A；Package：TO-252；Power switching application Description TheG10N10Ausesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application Powerswitchingapplication Hardswitchedandhighfrequencycircuits Uninterruptiblepowersupply | GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半導(dǎo)體 | GOFORD | ||
Marking：G10N10A；Package：SOP-8；DC/DC Primary Side Switch Description TheG10N10ASusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications. Application ●DC/DCPrimarySideSwitch ●Telecom/Server ●SynchronousRectification | GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半導(dǎo)體 | GOFORD | ||
Marking：G10N65；Package：TO-220F；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description ThisadvancedMOSFETfamilyhasoptimizedon-state resistance,andalsoprovidessuperiorswitching performanceandhigheravalancheenergystrength.This devicefamilyissuitableforhighefficiencyswitchmode powersupplies. Application lActivepowerfactorcorrection l | GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半導(dǎo)體 | GOFORD | ||
Marking：G10N80；Package：TO-220F；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description ThisadvancedMOSFETfamilyhasoptimizedon-state resistance,andalsoprovidessuperiorswitching performanceandhigheravalancheenergystrength.This devicefamilyissuitableforhighefficiencyswitchmode powersupplies. Application lLEDpowersupplies lCellPhoneC | GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半導(dǎo)體 | GOFORD | ||
Marking：G10P03；Package：DFN3X3-8L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG10P03usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters | GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半導(dǎo)體 | GOFORD | ||
Marking：G10T60；Package：PG-TO-220-3；Low Loss IGBT : IGBT in TRENCHSTOP??and Fieldstop technology Features: ?VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) ?MaximumJunctionTemperature175°C ?Shortcircuitwithstandtime5?s ?Designedfor: -VariableSpeedDriveforwashingmachinesandairconditioners -inductioncooking -UninterruptedPowerSupply ?TRENCHSTOP?andFieldstoptechnologyfor60 | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
Marking：G100MS7；Package：PG-TO247-3-PLUS-NN3.7；Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP? IGBT 7 technology Features ?VCE=1200V ?IC=100A ?LowsaturationvoltageVCEsat=2.0VatTvj=175°C ?Shortcircuitruggedness8μs ?Widerangeofdv/dtcontrollability ?CompleteproductspectrumandPSpiceModels:http://www.infineon.com/igbt/ Potentialapplications ?Industrialpowersupplies | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
Marking：G10N60A；Package：PG-TO-263-3-2；Fast IGBT in NPT-technology 75 lower Eoff compared to previous generation FastIGBTinNPT-technology ?75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration combinedwithlowconductionlosses ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: -Motorcontrols -Inverter ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highrugg | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
Marking：G10M65DF2；Package：D2PAK；Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 10 A low-loss in D2PAK package Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgatefield-stop structure.ThedeviceispartoftheMseries IGBTs,whichrepresentanoptimalbalance betweeninvertersystemperformanceand efficiencywherelow-lossandshort-circuit functionalityareess | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團 | STMICROELECTRONICS |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-N+R
- 性質(zhì)：
表面帖裝型 （SMD）_差分放大器射極輸出 （Dual）
- 封裝形式：
貼片封裝
- 極限工作電壓：
50V
- 最大電流允許值：
0.1A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
5
- 可代換的型號：
FMG10A,
- 最大耗散功率：
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
H-21
- vtest：
50
- htest：
999900
- atest：
0.05
- wtest：
0
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
G10
- 制造商：
XP Power
- 類別：
電源 - 板安裝 > 直流轉(zhuǎn)換器
- 系列：
XP EMCO - G (1.5W)
- 包裝：
管件
- 類型：
高電壓 - 隔離模塊
- 電壓 - 輸入（最小值）：
0.7V
- 電壓 - 輸入（最大值）：
12V
- 電壓 - 輸出 1：
1000V
- 電流 - 輸出（最大值）：
1.5mA
- 應(yīng)用：
ITE（商業(yè)）
- 特性：
比例輸出
- 工作溫度：
-10°C ~ 60°C
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
4-DIP 模塊
- 大小 / 尺寸：
1.50" 長 x 1.50" 寬 x 0.63" 高（38.1mm x 38.1mm
- 描述：
DC DC CONVERTER 1000V 1.5W
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
XP Power |
24+ |
N/A |
12000 |
一級代理保證進口原裝正品假一罰十價格合理 |
詢價 | ||
ADI/亞德諾 |
QFN |
6698 |
詢價 | ||||
NA |
2023+環(huán)保現(xiàn)貨 |
TSSOP8 |
10 |
專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)等方案配套一站式服務(wù) |
詢價 | ||
NA |
23+ |
6500 |
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨 |
詢價 | |||
NA |
23+ |
6500 |
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨 |
詢價 | |||
NULL |
04+/05+ |
SOT-23 |
202 |
全新原裝100真實現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價 | ||
GMT |
13+ |
TO-252 |
3549 |
原裝分銷 |
詢價 | ||
FUJIEIECTRIC |
23+ |
SOP08 |
9516 |
詢價 | |||
FSC |
2016+ |
TO-220 |
3000 |
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票! |
詢價 | ||
GMT |
23+ |
TO252 |
5000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價 |
