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G13 | Silicon Z??iodes FEATURES ?Highreliability ?Voltagerange10Vto270VFitsonto5mmSMDfootpads ?Waveandreflowsolderable ?Glasspassivatedjunction | TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd 泰迪斯電子深圳市泰迪斯電子科技有限公司 | TAYCHIPST | |
G13 | True low-power platform (66 μA/MHz, and 0.57 μA for operation with only RTC and LVD) for the general-purpose applications, with 1.6-V to 5.5-V operation, 16- to 512-Kbyte code flash memory, and 41 DMIPS at 32 MHz 1.1Features Ultra-lowpowerconsumptiontechnology ?VDD=singlepowersupplyvoltageof1.6to5.5V ?HALTmode ?STOPmode ?SNOOZEmode RL78CPUcore ?CISCarchitecturewith3-stagepipeline ?Minimuminstructionexecutiontime:Canbechanged fromhighspeed(0.03125μs:@32MHz | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | |
G13 | 5 current ratings | CHERRY Cherry Semiconductor Corporation | CHERRY | |
SIDACs SIDACs IT(RSM)=1.0Amperes VBO=95thru280Volts | EIC EIC discrete Semiconductors | EIC | ||
Silicon Z??iodes FEATURES ?Highreliability ?Voltagerange10Vto270VFitsonto5mmSMDfootpads ?Waveandreflowsolderable ?Glasspassivatedjunction | TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd 泰迪斯電子深圳市泰迪斯電子科技有限公司 | TAYCHIPST | ||
SIDACs SIDACs IT(RSM)=1.0Amperes VBO=95thru280Volts | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | ||
Marking：G130N06；Package：TO-263；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG130N06Musesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters | GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半導(dǎo)體 | GOFORD | ||
Marking：G130N06；Package：SOP-8；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG130N06Susesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters | GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半導(dǎo)體 | GOFORD | ||
Marking：G130N06D；Package：SOP-8Dual；DUAL N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG130N06S2usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters | GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半導(dǎo)體 | GOFORD | ||
Marking：G135P04；Package：DFN3X3-8L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG135P04D3usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters | GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半導(dǎo)體 | GOFORD |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-N+R
- 性質(zhì)：
表面帖裝型 （SMD）_差分放大器射極輸出 （Dual）
- 封裝形式：
貼片封裝
- 極限工作電壓：
30V
- 最大電流允許值：
0.1A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
5
- 可代換的型號(hào)：
FMG13A,
- 最大耗散功率：
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
H-21
- vtest：
30
- htest：
999900
- atest：
0.1
- wtest：
0
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
G13
- 制造商：
TAYCHIPST
- 制造商全稱：
Shenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd
- 功能描述：
Silicon Za??Diodes
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
23+ |
30000 |
現(xiàn)貨庫存 |
詢價(jià) | |||
TI |
02/03+ |
SSOP-16 |
336 |
全新原裝100真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價(jià) | ||
24+ |
SSOP8 |
3200 |
絕對(duì)原裝自家現(xiàn)貨!真實(shí)庫存!歡迎來電! |
詢價(jià) | |||
24+ |
CAN-3P |
11 |
詢價(jià) | ||||
24+ |
SSOP8P |
6980 |
原裝現(xiàn)貨,可開13%稅票 |
詢價(jià) | |||
GMT |
2016+ |
SOT23-6 |
6000 |
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票! |
詢價(jià) | ||
ATL |
23+ |
SO-8 |
8890 |
價(jià)格優(yōu)勢(shì)/原裝現(xiàn)貨/客戶至上/歡迎廣大客戶來電查詢 |
詢價(jià) | ||
GMT |
2020+ |
QFN |
894 |
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可 |
詢價(jià) | ||
FSC有批量 |
24+ |
TO220 |
5000 |
全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
GMT |
1651+ |
SOP8 |
8660 |
只做原裝進(jìn)口,假一罰十 |
詢價(jià) |
