首頁(yè)>GT50J102>芯片詳情

GT50J102_TOSHIBA/東芝_IGBT 晶體管 IGBT 600V 50A中福國(guó)際1部

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    GT50J102

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    TOSHIBA

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    950

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-3PL

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    20+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-3-20 10:35:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：GT50J102品牌：TOSHIBA

進(jìn)口原裝現(xiàn)貨,假一賠十

  • 芯片型號(hào)：

    GT50J102

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    TOSHIBA【東芝】詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    Toshiba Semiconductor

  • 中文名稱(chēng)：

    株式會(huì)社東芝

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    73 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    1582.74 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Bipolar Small-Signal Transistors

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    GT50J102

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 IGBT 600V 50A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市中福國(guó)際管理有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李先生

  • 手機(jī)：

    13534030369

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    4000-969-680

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福虹路世貿(mào)廣場(chǎng)B座22F

相近型號(hào)