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GT50JR22分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

GT50JR22
廠商型號

GT50JR22

參數(shù)屬性

GT50JR22 封裝/外殼為TO-3P-3,SC-65-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS

功能描述

IGBT

封裝外殼

TO-3P-3,SC-65-3

文件大小

333.5 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-24 18:35:00

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GT50JR22規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

· Low Saturation Voltage:VCE(sat)=2.2V@IC=50A

· High Speed Switching

· Low Power Loss

APPLICATIONS

· Industrial Power Supplies

· Industrial Drives

· Solar Inverters

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    GT50JR22(STA1,E,S)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,50A

  • 輸入類型:

    標準

  • 工作溫度:

    175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-3P(N)

  • 描述:

    PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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