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GT60N321(Q)

Package：TO-3PL；包裝：管件 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

60N321

InsulatedGateBipolarTransistorSiliconNChannelIGBT

HighPowerSwitchingApplications The4thGeneration ?FRDincludedbetweenemitterandcollector ?Enhancement-mode ?HighspeedIGBT:tf=0.25μs(typ.)(IC=60A) FRD:trr=0.8μs(typ.)(di/dt=?20A/μs) ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=2.3V(typ.)(IC=

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

GT60N321

IGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.3V@IC=10A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·FrequencyConverters ·AirConditioning ·UPS,PFC ·MotorDrives

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

GT60N321

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

GT60N321

InsulatedGateBipolarTransistorSiliconNChannelIGBT

HighPowerSwitchingApplications The4thGeneration ?FRDincludedbetweenemitterandcollector ?Enhancement-mode ?HighspeedIGBT:tf=0.25μs(typ.)(IC=60A) FRD:trr=0.8μs(typ.)(di/dt=?20A/μs) ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=2.3V(typ.)(IC=

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    GT60N321(Q)

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.8V @ 15V，60A

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    330ns/700ns

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3PL

  • 供應商器件封裝：

    TO-3P（LH）

  • 描述：

    IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多GT60N321(Q)供應商 更新時間2025-5-28 17:22:00

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