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MJD3055

SiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=60V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=1.1V(Max)@IC=4A ·ComplementtoTypeMJD2955 APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MJD3055G

ComplementaryPowerTransistorsDPAKForSurfaceMountApplications

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    H3055

  • 制造商：

    HSMC

  • 制造商全稱：

    HSMC

  • 功能描述：

    N-Channel Enhancement-Mode MOSFET(30V, 12A)

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更多H3055供應(yīng)商 更新時間2025-4-3 17:46:00

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