| 零件編號 | 下載 訂購 | 功能描述/絲印 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
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NPNGeneralPurposeAmplifier Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?Capableof350mWattsofPowerDissipationand200mAIc. ?OperatingandStorageJunctionTemperatures:-55°Cto150°C ?SurfaceMountSOT-23Package ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant | MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導體股份有限公司 | MCC | ||
NPNSiliconSwitchingTransistor NPNSiliconSwitchingTransistors ?HighDCcurrentgain:0.1mAto100mA ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?ForSMBT3904S: Two(galvanic)internalisolatedtransistors withgoodmatchinginonepackage ?Complementarytypes:SMBT3906...MMBT3906 ?SMBT3904S:Fororientat | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
NPNGeneralPurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedasageneral-purposeamplifierandswitch.Theusefuldynamicrangeextendsto100mAasaswitchandto100MHzasanamplifier. | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司 | Fairchild | ||
NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR 40VNPNSMALLSIGNALTRANSISTORINSOT23 Features ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?ComplementaryPNPTypeAvailable(MMBT3906) ?IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Green”Devic | DIODES Diodes Incorporated | DIODES | ||
SmallSignalTransistors(NPN) FEATURES ◆NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandamplifierapplications. ◆Ascomplementarytype,thePNP transistorMMBT3906isrecommended. ◆ThistransistorisalsoavailableintheTO-92 casewiththetypedesignation2N3904. | GE GE Industrial Company | GE | ||
NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?ComplementaryPNPTypeAvailable (MMBT3906) ?IdealforMediumPowerAmplificationand Switching | TRSYS Transys Electronics | TRSYS | ||
GENERALPURPOSETRANSISTORNPNSILICON GeneralPurposeTransistor NPNSilicon | ZOWIEZowie Technology Corporation 智威智威科技股份有限公司 | ZOWIE | ||
GENERALPURPOSEAMPLIFIERTRANSISTORSSURFACEMOUNT GeneralPurposeTransistors NPNandPNPSilicon Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT?323/SC?70packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?SPrefixforAut | ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司 | ONSEMI | ||
GeneralPurposeTransistorNPNSilicon GeneralPurposeTransistor NPNSilicon P/bLead(Pb)-Free | WEITRON Weitron Technology | WEITRON | ||
GENERALPURPOSEAPPLIATION GENERALPURPOSEAPPLIATION ■FEATURES *Collector-EmitterVoltage:VCEO=40V *CollectorDissipation:PD(MAX)=350mW *ComplementarytoUTCMMBT3906 | UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司 | UTC |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產廠家：
- 制作材料：
- 性質：
- 封裝形式：
- 極限工作電壓：
60V
- 最大電流允許值：
0.2A
- 最大工作頻率：
300MHZ
- 引腳數(shù)：
- 可代換的型號：
- 最大耗散功率：
0.625W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
NO
- vtest：
60
- htest：
300000000
- atest：
0.2
- wtest：
0.625
詳細參數(shù)
- 型號：
H3904
- 制造商：
HUASHAN
- 制造商全稱：
HUASHAN
- 功能描述：
NPN SILICON TRANSISTOR
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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FOX |
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CONN |
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