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NPNGeneralPurposeAmplifier | NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司 | NSC | ||
SMDGeneralPurposeTransistor(NPN) SMDGeneralPurposeTransistor(NPN) Features ?NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistorfor SwitchingandAmplifierApplications ?RoHScompliance | TAITRON TAITRON Components Incorporated | TAITRON | ||
NPNSWITCHINGTRANSISTOR FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryPNPtypeavailable (MMBT3906). ●CollectorCurrentCapabilityICM=200mA. ●Collector-emitterVoltageVCEO=40V. APPLICATIONS ●Generalswitchingandamplification | BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司 | BILIN | ||
NPNGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR FEATURES ?NPNepitaxialsilicon,planardesign ?Collector-emittervoltageVCE=40V ?CollectorcurrentIC=200mA ?Pbfreeproductareavailable:99SnabovecanmeetRohsenvironmentsubstancedirectiverequest | PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司 | PANJIT | ||
0.2WattsNPNPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES -Epitaxialplanardieconstruction -Surfacedevicetypemounting -Moisturesensitivitylevel1 -MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate -PbfreeversionandRoHScompliant -PackingcodewithsuffixGmeansgreencompound(halogen-free) | TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司 | TSC | ||
NPNSiliconGeneralPurposeTransistor NPNSiliconGeneralPurposeTransistor forswitchingandamplifierapplications. AscomplementarytypesthePNPtransistors MMBT3906isrecommended. | SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司 | SEMTECH_ELEC | ||
NPNGeneralPurposeAmplifier | MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司 | MCC | ||
SOT-23BIPOLARTRANSISTORSTRANSISTOR(NPN) | RECTRON Rectron Semiconductor | RECTRON | ||
NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedasageneralpurposeamplifierandswitch.Theusefuldynamicrangeextendsto100mAasaswitchandto100MHzasanamplifier. | PFSShenzhen Ping Sheng Electronics Co., Ltd. 平盛電子深圳市平盛電子有限公司 | PFS | ||
NPNSiliconSwitchingTransistors | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
- 性質(zhì)：
- 封裝形式：
- 極限工作電壓：
60V
- 最大電流允許值：
0.2A
- 最大工作頻率：
300MHZ
- 引腳數(shù)：
- 可代換的型號：
- 最大耗散功率：
0.625W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
NO
- vtest：
60
- htest：
300000000
- atest：
0.2
- wtest：
0.625
詳細(xì)參數(shù)
- 型號：
H3904
- 制造商：
HUASHAN
- 制造商全稱：
HUASHAN
- 功能描述：
NPN SILICON TRANSISTOR
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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FOX |
2447 |
CONN |
100500 |
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PHILIPS |
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