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NTH4L020N090SC1

Marking：H4L020090SC1；Package：TO247-4L；Silicon Carbide SiC MOSFET - 20 mohm, 900 V, M2, TO-247-4L

Features ?Typ.RDS(on)=20m@VGS=15V Typ.RDS(on)=16m@VGS=18V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=196nC) ?LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=296pF) ?100UILTested ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(onsecondlevelinter

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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更多H4L020090SC1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-12 17:00:00

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