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IQXO-610

CrystalClockOscillatorSpecification

IQD

IQD Frequency Products Ltd

IRF610

3.3A,200V,1.500Ohm,N-ChannelPowerMOSFET

ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching

Intersil

Intersil Corporation

IRF610

N-ChannelPowerMOSFETs,3.5A,150-200V

Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. ●LOWRDS(on) ●VQSRatedat±20V ●SiliconG

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IRF610

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRF610

N-ChannelPowerMosfets

ARTSCHIP

ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.

IRF610

iscN-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRITION ?Designedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications, suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDC motorcontrols,relayandsolenoiddrivers. ?FEATURES ?LowRDS(on) ?VGSRatedat±20V ?SiliconGateforFastSwitchingSpeed ?Rugged ?LowDrive

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRF610

N-ChannelPowerMOSFETs3.5A,150-200V

Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. ●LOWRDS(on) ●VQSRatedat±20V ●SiliconG

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

IRF610

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRF610

N-ChannelPowerMOSFETs3.5A,150-200V

Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. ●LOWRDS(on) ●VQSRatedat±20V ●SiliconG

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

IRF610

SEMICONDUCTORS

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    HBS610

  • 制造商：

    SMC Diode Solutions

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 橋式整流器

  • 包裝：

    散裝

  • 二極管類型：

    Single Phase

  • 技術(shù)：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    4-SMD，鷗翼

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    HBS

  • 描述：

    1000V,6APACKAGE HBS BRIDGE RECTI

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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YXYBDT/一芯源
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SOP-4
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原.現(xiàn)貨
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Diodes Incorporated
25+
4-SMD 鷗翼
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獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費(fèi)試樣正品保證
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原廠全新正品旗艦店優(yōu)勢現(xiàn)貨
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更多HBS610供應(yīng)商 更新時間2025-4-11 11:06:00

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