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HEF4720V中文資料飛利浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

HEF4720V
廠商型號

HEF4720V

功能描述

256-bit, 1-bit per word random access memories

文件大小

180.05 Kbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

Philips飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-14 20:00:00

HEF4720V規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The HEF4720B and HEF4720V are 256-bit, 1-bit per word random access memories with 3-state outputs. The memories are fully decoded and completely static. Recommended supply voltage range for HEF4720B is 3 to 15 V and for HEF4720V is 4,5 to 12,5 V; minimum stand-by voltage for both types is 3 V.

The use of LOCMOS gives the added advantage of very low stand-by power. The circuits can be directly interfaced with standard bipolar devices (TTL) without using special interface circuits. The memory operates from a single power supply.

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
PHILIPS/飛利浦
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